Produção anual de 4.000 toneladas de projeto de sílica pirogênica dedicada a líquido de polimento CMP

1 Histórico do projeto

No contexto da intensificação das fricções da guerra comercial entre a China e os EUA, a competição pelo controlo autónomo de materiais semicondutores intensificou-se. Especialmente nos últimos anos, a nova capacidade de produção do meu país tornou-se o principal aumento nas fábricas globais, mas as principais matérias-primas e equipamentos de produção a montante que restringem o fortalecimento da indústria de semicondutores ainda são quase monopolizados por empresas americanas e japonesas. É o bloqueio adicional da indústria de chips, que é quase um golpe para o desenvolvimento da indústria de semicondutores do meu país. Portanto, a posição estratégica da localização de materiais semicondutores tem sido destacada, e a aceleração do processo de substituição de importações na área de materiais é uma tendência geral.

2 Descrição do produto

O polimento mecânico químico CMP (ChemicalMechanicalPolishing) é uma combinação de corrosão química e atrito mecânico. Atualmente é a tecnologia de suavização de superfície de material semicondutor mais comum. Combina as vantagens do atrito mecânico e da corrosão química, evitando assim danos superficiais causados pelo polimento mecânico simples e velocidade de polimento lenta, planicidade da superfície e polimento causado pelo polimento químico simples. Desvantagens como baixa consistência. Uma superfície de wafer relativamente perfeita pode ser obtida.

É geralmente aceito internacionalmente que quando o tamanho do dispositivo é inferior a 0,35 μm, a planarização global deve ser realizada para garantir a precisão e a resolução da transmissão da imagem litográfica, e o CMP é atualmente quase a única tecnologia que pode fornecer planarização global. O diagrama principal de seus equipamentos é o seguinte:

Fluido de moagem: substância líquida adicionada durante a moagem. O tamanho das partículas está relacionado a defeitos como arranhões após a retificação. Quanto maior a partícula, maior será o dano ao wafer, e quanto menor a partícula, melhor. A forma básica é composta por um agente de polimento nano-pó e uma solução aquosa de componente alcalino. O tamanho da partícula é 1-

100 nm, a concentração é de 1,5% a 50%, a composição básica é geralmente KOH, amônia ou amina orgânica e o pH é de 9,5 a 11.

Devido à alta pureza da sílica pirogênica, ao tamanho original controlável das partículas nanométricas e à distribuição do tamanho das partículas, o SiO2 pirogênico se torna o principal abrasivo na pasta de polimento de óxido.

3 Materiais do projeto:

Pó de silício metálico, ácido clorídrico, hidrogênio. Produção anual de 1.000 toneladas de projeto de dióxido de titânio em fase nano gasosa Produção anual de 20.000 toneladas de papel especial projeto de carbonato de cálcio leve especial Produção anual de 1.000 toneladas de projeto BIPB (DCP inodoro) Pesquisa e desenvolvimento contínuos

4. Instalações de apoio ao projeto:

Parques industriais químicos, vapor, eletricidade, águas industriais.

5. Vantagens técnicas

Patente: Um dispositivo para produzir dióxido de silício e óxido metálico pelo método de fase gasosa

Patente: Um dispositivo e processo para produção de triclorossilano e tetracloreto de silício de alta pureza

6. O investimento total do projeto é de 150 milhões de yuans.

7. Área do projeto: 30 acres

8. Benefícios económicos